Разгон — это просто: оперативная память

Мы уже рассказывали о том, как разгонять процессоры и видеокарты. Еще один компонент, достаточно ощутимо влияющий на производительность отдельно взятого компьютера, – оперативная память. Форсирование и тонкая настройка режима работы ОЗУ позволяют повысить быстродействие ПК в среднем на 5–10%. Если подобный прирост достигается без каких-либо денежных вложений и не влечет риски для стабильности системы – почему бы не попробовать? Однако начав готовить данный материал, мы пришли к выводам о том, что описания собственно процесса разгона будет недостаточно. Понять, почему и для чего надо изменять определенные настройки работы модулей, можно, лишь вникнув в суть работы подсистемы памяти компьютера. Потому в первой части материала мы кратко рассмотрим общие принципы функционирования ОЗУ. Во второй приведены основные советы, которых следует придерживаться начинающим оверклокерам при разгоне подсистемы памяти.

Основные принципы функционирования оперативной памяти одинаковы для модулей разных типов. Ведущий разработчик стандартов полупроводниковой индустрии JEDEC предоставляет возможность каждому желающему ознакомиться с открытыми документами, посвященными этой тематике. Мы же постараемся кратко объяснить базовые понятия.

Итак, оперативная память – это матрица, состоящая из массивов, именуемых банками памяти. Они формируют так называемые информационные страницы. Банк памяти напоминает таблицу, каждая ячейка которой имеет координаты по вертикали (Column) и горизонтали (Row). Ячейки памяти представляют собой конденсаторы, способные накапливать электрический заряд. С помощью специальных усилителей аналоговые сигналы переводятся в цифровые, которые в свою очередь образуют данные. Сигнальные цепи модулей обеспечивают подзарядку конденсаторов и запись/считывание информации.

Алгоритм работы динамической памяти можно описать такой последовательностью:

  1. Выбирается чип, с которым будет осуществляться работа (команда Chip Select, CS). Электрическим сигналом проводится активация выбранной строки (Row Activate Selection). Данные попадают на усилители и могут быть считаны определенное время. Эта операция в англоязычной литературе называется Activate.
  2. Данные считываются из соответствующей колонки/записываются в нее (операции Read/Write). Выбор колонок проводится командой CAS (Column Activate Selection).
  3. Пока строка, на которую подан сигнал, остается активной, возможно считывание/запись соответствующих ей ячеек памяти.
  4. При чтении данных – зарядов конденсаторов – их емкость теряется, поэтому требуется подзарядка или закрытие строки с записью информации в массив памяти (Precharge).
  5. Конденсаторы-ячейки со временем теряют свою емкость и требуют постоянной подзарядки. Эта операция – Refresh – выполняется регулярно через отдельные промежутки (64 мс) для каждой строки массива памяти.

На выполнение операций, происходящих внутри оперативной памяти, уходит некоторое время. Именно его и принято называть таким знакомым словом «тайминги» (от англ. time). Следовательно, тайминги – временные промежутки, необходимые для выполнения тех или иных операций, осуществляющихся в работе ОЗУ.

Схема таймингов, указываемых на стикерах модулей памяти, включает в себя лишь основные задержки CL-tRCD-tRP-tRAS (CAS Latency, RAS to CAS Delay, RAS Precharge и Cycle Time (или Active to Precharge)). Все остальные, в меньшей мере оказывающие влияние на скорость работы ОЗУ, принято называть субтаймингами, дополнительными или второстепенными таймингами.

Приводим расшифровку основных задержек, возникающих при функционировании модулей памяти:

CAS Latency (CL) – пожалуй, самый важный параметр. Определяет минимальное время между подачей команды на чтение (CAS) и началом передачи данных (задержка чтения).

RAS to CAS Delay (tRCD) определяет интервал времени между подачей команд RAS и CAS. Обозначает число тактов, необходимых для поступления данных в усилитель.

RAS Precharge (tRP) – время, уходящее на перезарядку ячеек памяти после закрытия банка.

Row Active Time (tRAS) – временной промежуток, на протяжении которого банк остается открытым и не требует перезарядки.

Command Rate 1/2T (CR) – время, необходимое для декодирования контроллером команд и адресов. При значении 1T команда распознается за один такт, при 2T – за два.

Bank Cycle Time (tRC, tRAS/tRC) – время полного такта доступа к банку памяти, начиная с открытия и заканчивая закрытием. Изменяется вместе с tRAS.

DRAM Idle Timer – время простоя открытой информационной страницы для чтения данных с нее.

Row to Column (Read/Write) (tRCD, tRCDWr, tRCDRd) напрямую связан с параметром RAS to CAS Delay (tRCD). Вычисляется по формуле tRCD(Wr/Rd) = RAS to CAS Delay + Rd/Wr Command Delay. Второе слагаемое – величина нерегулируемая, определяет задержку на выполнение записи/чтения данных.

Пожалуй, это базовый набор таймингов, зачастую доступный для изменения в BIOS материнских плат. Расшифровку остальных задержек, как и детальное описание принципов работы и определение влияния тех или иных параметров на функционирование ОЗУ можно найти в спецификациях уже упомянутой нами JEDEC, а также в открытых datasheet производителей наборов системной логики.

Таблица соответствия реальной, эффективной частоты работы и рейтинга разных типов ОЗУ

Тип памяти Рейтинг Реальная частота
работы памяти, МГц
Эффективная частота
работы памяти
(DDR, Double Data Rate), МГц
DDR PC 2100 133 266
PC 2700 167 333
PC 3200 200 400
ЗС 3500 217 434
PC 4000 250 500
PC 4300 266 533
DDR2 PC2 4300 266 533
PC2 5400 333 667
PC2 6400 400 800
PC2 8000 500 1000
PC2 8500 533 1066
PC2 9600 600 1200
PC2 10 400 650 1300
DDR3 PC3 8500 533 1066
PC3 10 600 617,5 1333
PC3 11 000 687,5 1375
PC3 12 800 800 1600
PC3 13 000 812,5 1625
PC3 14 400 900 1800
PC3 15 000 933 1866
Отметим, что числовое обозначение рейтинга в данном случае согласно спецификациям JEDEC указывает на скорость в миллионах передач в секунду через один вывод данных.
Что касается быстродействия и условных обозначений, то вместо эффективной частоты работы правильнее говорить, что скорость передачи данных в два раза больше тактовой частоты модуля (данные передаются по двум фронтам сигналов тактового генератора).

Основные тайминги памяти

Разгон - это просто: оперативная память

Подобную формулу задержек часто можно обнаружить на стикерах модулей ОЗУ. В ней представлены лишь основные тайминги, в наибольшей мере влияющие на производительность подсистемы памяти.

Понять, что обозначают эти четыре задержки, и для начала хотя бы запомнить названия, – один из шагов к успешному разгону. Данные тайминги по возможности следует понижать до минимума.

Объяснение одного из таймингов tRP (Read to Precharge, RAS Precharge) с помощью типичной схемы в datasheet от JEDEC. Расшифровка подписей: CK и CK – тактовые сигналы передачи данных, инвертированные один относительно другого (Differential Clock); COMMAND – команды, поступающие на ячейки памяти; READ – операция чтения; NOP – команды отсутствуют; PRE – подзарядка конденсаторов – ячеек памяти; ACT – операция активации строки; ADDRESS – адресация данных к банкам памяти; DQS – шина данных (Data Strobe); DQ – шина ввода-вывода данных (Data Bus: Input/Output); CL – CAS Latency в данном случае равен двум тактам; DO n – считывание данных со строки n. Один такт – временной промежуток, необходимый для возврата сигналов передачи данных CK и CK в начальное положение, зафиксированное в определенный момент.

Упрощенная блок-схема, объясняющая основы работы памяти стандарта DDR2. Она создана с целью демонстрации возможных состояний транзисторов и команд, которые их контролируют. Как видите, чтобы разобраться в столь «простой» схеме, потребуется не один час изучения основ работы ОЗУ (мы уже не говорим о понимании всех процессов, происходящих внутри чипов памяти).

Основы разгона оперативной памяти

Быстродействие ОЗУ в первую очередь определяют два показателя: частота работы и тайминги. Какой из них окажет большее влияние на производительность ПК, следует выяснять индивидуально, однако для разгона подсистемы памяти нужно использовать оба пути. На что же способны ваши модули? С достаточно высокой долей вероятности поведение плашек можно спрогнозировать, определив названия используемых в них чипов. Наиболее удачные оверклокерские микросхемы стандарта DDR – Samsung TCCD, UCCC, Winbond BH-5, CH-5; DDR2 – Micron D9xxx; DDR3 – Micron D9GTR. Впрочем, итоговые результаты будут зависеть и от типа РСВ, системы, в которой установлены модули, умения владельца разгонять память и просто от удачи при выборе экземпляров.

Пожалуй, первый шаг, который делают новички, – повышение рабочей частоты ОЗУ. Она всегда привязана к FSB процессора и выставляется с помощью так называемых делителей в BIOS платы. Последние могут выражаться в дробном виде (1:1, 1:1,5), в процентном выражении (50%, 75%, 120%), в режимах работы (DDR-333, DDR2–667). При разгоне процессора путем увеличения FSB автоматически возрастает частота работы памяти. К примеру, если мы использовали повышающий делитель 1:1,5, то при изменении частоты шины с 333 до 400 МГц (типично для форсирования Core 2 Duo) частота памяти поднимется с 500 МГц (333×1,5) до 600 МГц (400×1,5). Поэтому, форсируя ПК, следите, не является ли камнем преткновения предел стабильной работы оперативной памяти.

Следующий шаг – подбор основных, а затем дополнительных таймингов. Их можно выставлять в BIOS материнской платы или же изменять специализированными утилитами на лету в ОС. Пожалуй, самая универсальная программа – MemSet, однако владельцам систем на базе процессоров AMD Athlon 64 (K8) очень пригодится A64Tweaker. Прирост производительности можно получить лишь путем понижения задержек: в первую очередь CAS Latency (CL), а затем RAS to CAS Delay (tRCD), RAS Precharge (tRP) и Active to Precharge (tRAS). Именно их в сокращенном виде CL4-5-4-12 указывают изготовители модулей памяти на стикерах продуктов. Уже после настройки основных таймингов можно переходить к понижению дополнительных.

Модули стандартов: a) DDR2; b) DDR; c) SD-RAM.

  1. Чипы (микросхемы) памяти. Комбинация «чипы + РСВ» определяет объем, количество банков, тип модулей (с коррекцией ошибок или без).
  2. SPD (Serial Presence Detect) – микросхема энергонезависимой памяти, в которую записаны базовые настройки любого модуля. Во время старта системы BIOS материнской платы считывает информацию, отображенную в SPD, и выставляет соответствующие тайминги и частоту работы ОЗУ.
  3. «Ключ» — специальная прорезь платы, по которой можно определить тип модуля. Механически препятствует неверной установке плашек в слоты, предназначенные для оперативной памяти.
  4. smd-компоненты модулей (резисторы, конденсаторы). Обеспечивают электрическую развязку сигнальных цепей и управление питанием чипов.
  5. На стикерах производители обязательно указывают стандарт памяти, штатную частоту работы и базовые тайминги.
  6. РСВ – печатная плата. На ней распаиваются остальные компоненты модуля. От качества РСВ зачастую зависит результат разгона: на разных платах одинаковые чипы могут вести себя по-разному.

На результаты разгона оперативной памяти значительное влияние оказывает увеличение напряжения питания плашек. Безопасный для длительной эксплуатации предел зачастую превышает заявленные производителями значения на 10–20%, однако в каждом случае подбирается индивидуально с учетом специфики чипов. Для наиболее распространенной DDR2 рабочее напряжение зачастую равно 1,8 В. Его без особого риска можно поднять до 2–2,1 В при условии, что это влечет за собой улучшение результатов разгона. Впрочем, для оверклокерских модулей, использующих чипы Micron D9, производители заявляют штатное напряжение питания на уровне 2,3–2,4 В. Превышать эти значения рекомендуется только для кратковременных бенчинг-сессий, когда важен каждый дополнительный мегагерц частоты. Отметим, что при длительной эксплуатации памяти при напряжениях питания, отличающихся от безопасных для используемых чипов значений, возможна так называемая деградация модулей ОЗУ. Под этим термином понимают снижение разгонного потенциала модулей со временем (вплоть до неспособности работать в штатных режимах) и полного выхода плашек из строя. На деградационные процессы особо не влияет качество охлаждения модулей – даже холодные чипы могут быть им подвержены. Конечно, есть и примеры длительного успешного использования ОЗУ при высоких напряжениях, но помните: все операции при форсировании системы вы проводите на свой страх и риск. Не переусердствуйте.

Прирост производительности современных ПК можно получить, используя преимущества двухканального режима (Dual Channel). Это достигается за счет увеличения ширины канала обмена данными и роста теоретической пропускной способности подсистемы памяти. Такой вариант не требует специальных знаний, навыков и тонкой настройки режимов работы ОЗУ. Для активации Dual Channel достаточно иметь два или четыре модуля одинакового объема (при этом необязательно использовать полностью идентичные плашки). Двухканальный режим включается автоматически после установки ОЗУ в соответствующие слоты материнской платы.

Зависимость разгона модулей Team TXDD1024M1066HC5-D от напряжения питания и основных таймингов

Разгон - это просто: оперативная память
Типичная диаграмма, иллюстрирующая зависимость результатов разгона от задержек и напряжения питания ОЗУ. Частота работы модулей с ухудшением (увеличением значений) таймингов почти всегда возрастает очень ощутимо.
Поднятие напряжения питания сверх установленных производителем значений позволяет раскрыть весь потенциал модулей памяти. Правда, разные чипы реагируют на подобные манипуляции неодинаково.

Все описанные манипуляции приводят к увеличению быстродействия подсистемы памяти, однако заметить прирост невооруженным глазом зачастую сложно. При хорошей настройке и ощутимом повышении частоты работы модулей можно рассчитывать на прибавку производительности порядка 10–15%. Среднестатистические показатели более низкие. Стоит ли овчинка выделки и нужно ли тратить время на игры с настройками? Если хотите детально изучить повадки ПК – почему бы и нет?

ЕРР и XMP – разгон ОЗУ для ленивых

Далеко не все пользователи изучают особенности настройки ПК на максимальное быстродействие. Именно для новичков оверклокинга ведущие компании предполагают простые способы повышения производительности компьютера.

В отношении ОЗУ все началось с технологии Enhanced Performance Profiles (EPP), представленной NVIDIA и Corsair. Материнские платы на базе nForce 680i SLI первыми предоставили максимальную функциональность в плане настройки подсистемы памяти. Суть ЕРР довольно проста: производители ОЗУ подбирают гарантированные нестандартные скоростные режимы функционирования собственных продуктов, а разработчики системных плат предоставляют возможность их активировать через BIOS. EPP – расширенный перечень настроек модулей, дополняющий базовый набор. Существует две версии ЕРР – сокращенная и полная (два и одиннадцать резервных пунктов соответственно).

Параметр Возможные значения для ЕРР Поддерживается
JEDEC SPD Сокращенный профиль ЕРР Полный профиль ЕРР
CAS Latency 2, 3, 4, 5, 6 Да Да Да
Minimum Cycle time at Supported CAS JEDEC + 1,875 нс (DDR2-1066) Да Да Да
Minimum RAS to CAS Delay (tRCD) JEDEC* Да Да Да
Minimum Row Precharge Time (tRP) JEDEC* Да Да Да
Minimum Active to Precharge Time (tRAS) JEDEC* Да Да Да
Write Recovery Time (tWR) JEDEC* Да Да Да
Minimum Active to Active/Refresh Time (tRC) JEDEC* Да Да Да
Voltage Level 1,8–2,5 В Да Да
Address Command Rate 1Т, 2Т Да Да
Address Drive Strenght 1.0х, 1.25х, 1.5х, 2.0х Да
Chip Select Drive Strenght 1.0х, 1.25х, 1.5х, 2.0х Да
Clock Drive Strenght 0.75х, 1.0х, 1.25х, 1.5х Да
Data Drive Strenght 0.75х, 1.0х, 1.25х, 1.5х Да
DQS Drive Strenght 0.75х, 1.0х, 1.25х, 1.5х Да
Address/ Command Fine Delay 0, 1/64, 2/64, 3/64 MEMCLK Да
Address/ Command Setup Time 1/2, 1 MEMCLK Да
Chip Select Delay 0, 1/64, 2/64, 3/64 MEMCLK Да
Chip Select Setup Time 1/2, 1 MEMCLK Да
* Диапазон значений соответствует требованиям, определенным JEDEC для модулей DDR2
Расширенные профили ЕРР позволяют автоматически управлять ощутимо большим количеством задержек модулей стандарта DDR2, чем базовый набор, сертифицированный JEDEC.

Дальнейшее развитие данной темы – концепция Xtreme Memory Profiles (ХМР), представленная компанией Intel. По своей сути данное новшество не отличается от ЕРР: расширенный набор настроек для ОЗУ, гарантированные производителями скоростные режимы записаны в SPD планок и при необходимости активируются в BIOS платы. Поскольку Xtreme Memory Profiles и Enhanced Performance Profiles предоставлены разными разработчиками, модули сертифицируются под их собственные наборы системной логики (на чипсетах NVIDIA или Intel). XMP, как более поздний стандарт, относится только к DDR3.

Безусловно, несложные в активации резервов ОЗУ технологии EPP и XMP пригодятся новичкам. Однако позволят ли производители модулей просто так выжать максимум из своих продуктов? Хотите еще больше? Тогда нам по пути – будем глубже вникать в суть повышения быстродействия подсистемы памяти.

Итоги

Разгон - это просто: оперативная память Утилита MemSet – один из главных инструментов людей, занимающихся тонкой настройкой (так называемым твикингом) подсистемы памяти. Позволяет кроме основных изменять целый ряд дополнительных таймингов ОЗУ и выдает базовую сервисную информацию.

В небольшом материале сложно раскрыть все аспекты работы модулей, принципы функционирования динамической памяти вообще, показать, насколько повлияет изменение одной из настроек ОЗУ на общую производительность системы. Однако надеемся, что начало положено: тем, кто заинтересовался теоретическими вопросами, настоятельно рекомендуем изучить материалы JEDEC. Они доступны каждому желающему. На практике же опыт традиционно приходит со временем. Одна из главных целей материала – объяснение новичкам основ разгона подсистемы памяти.

Тонкая настройка работы модулей – дело довольно хлопотное, и если вам не нужна максимальная производительность, если каждый балл в тестовом приложении не решает судьбу рекорда, можно ограничиться привязкой к частоте и основным таймингам. Существенное влияние на быстродействие оказывает параметр CAS Latency (CL). Выделим также RAS to CAS Delay (tRCD), RAS Precharge (tRP) и Cycle Time (или Active to Precharge) (tRAS) – это базовый набор, основные тайминги, всегда указываемые производителями. Обратите внимание и на опцию Command Rate (наиболее актуально для владельцев современных плат на чипсетах NVIDIA). Впрочем, не стоит забывать о балансе характеристик. Системы, использующие неодинаковые контроллеры памяти, по-разному могут реагировать на изменения параметров. Разгоняя ОЗУ, следует придерживаться общей схемы: максимальный разгон процессора при пониженной частоте модулей → предельный разгон памяти по частоте с наихудшими задержками (изменением делителей) → снижение таймингов при сохранении достигнутых частотных показателей.

Разгон - это просто: оперативная память Просмотр содержимого SPD-модуля памяти с поддержкой Еnhanced Рerformance Рrofiles с помощью утилиты CPU-Z. Видно, что в ЕРР #1 прописан скоростной режим, позволяющий раскрыть потенциал ОЗУ. Разгон - это просто: оперативная память Текущие частота работы и задержки подсистемы памяти. Программа CPU-Z позволяет оперативно определить данные настройки и отслеживать их в режиме реального времени (полезно, если вы меняете задержки, находясь в ОС).

Дальше – тестирование производительности (не ограничивайтесь лишь синтетическими приложениями!), затем новая процедура разгона модулей. Установите значения основных таймингов меньше на порядок (скажем, 4-4-4-12 вместо 5-5-5-15), с помощью делителей подберите максимальную частоту в таких условиях и протестируйте ПК заново. Таким образом возможно определить, что больше всего «по душе» вашему компьютеру – высокая частота работы или низкие задержки модулей. После чего переходите к тонкой настройке подсистемы памяти, поиску минимальных значений для субтаймингов, доступных для корректировки. Желаем удачи в этом нелегком деле!

Зачем разгонять оперативную память

Это действительно работает

Давай рассмотрим путь, который проходит программа. Сначала она загружается с более медленных типов памяти, как SSD или HDD. Тогда программа попадает в ОЗУ. Как только данные были загружены, они остаются там на определенное время, чтобы процессор мог получить к ним доступ, когда ему это нужно.

Улучшение скорости работы ОЗУ может напрямую повысить производительность процессора в определённых ситуациях. Хотя важно помнить, что и у CPU есть свой лимит, после которого он уже не может достаточно быстро обрабатывать ещё больше памяти.

Для выполнения повседневных задач, повышение скорости ОЗУ может не сыграть большой роли. Однако если вы действительно сражаетесь за каждую цифру, небольшое улучшение производительности может помочь.

Оперативная память

Что касается компьютерных игр, то повышение скорости ОЗУ дает заметный результат. Каждый кадр обрабатывается всего за несколько миллисекунд. Поэтому если ваша игра ориентированна на процессор (например, PUBG или CS:GO), разгон ОЗУ позволит повысить FPS.

В играх, где основная нагрузка идёт на CPU, с разгоном ОЗУ средний FPS может улучшится на 2-5%. А вот где действительно работает разгон ОЗУ, это ситуации, когда загружаются новые локации или появляется сразу несколько объектов. Особенно, если такое действие происходит в одном кадре. Зачастую загрузка занимает гораздо больше времени, если ПК не хватает скорости. Тогда игрок сталкивается с визуально неприятным разрывом кадров. Это происходит даже тогда, когда у него высокий средний FPS.

Читайте также:  No bootable partition in table что делать

В этом нет ничего страшного

Разгон ОЗУ — это вполне безопасный процесс. Это нельзя сравнивать с разгоном процессора или видеокарты. Когда вы занимаетесь разгоном процессора, вам необходимо учитывать хватит ли вашему компьютеру охлаждения для работы на повышенной частоте. Также разогнанный процессор и видеокарта создают больше шума, чем при стандартных настройках

Разгон памяти, против разгона ядер

В прошлой части мы с вами смотрели на то, как стоит для повседневной работы разгонять современные процессоры, и получили прирост на i9 9900k от 2 до 12% в зависимости от задачи повысив TDP с 95 до 145 Ватт.

И закончил я видео сказав, что в тестах я использовал довольно посредственные планки памяти. У них стоял XMP профиль на 3 ГГц не с супер низкими таймингами и тогда же я пообещал, что мы посмотрим — что важнее разгон памяти или разгон ядер.

Само собой в реальности, если хочется увеличить производительность, то надо делать и то и другое.

Но «что будет вносить больший вклад в созданных условиях» — большой вопрос.

Ответить на этот вопрос нам поможет свеженький комплект памяти 2 по 8 Гигов, которые мне предоставила компания патриот.

В память записано два XMP профиля, на 4400 и на 4266 МГц.

Вообще выбирая себе частотные планки стоит понимать, что не любой процессор может потянуть выше 4 ГГц по памяти, кроме того и материнская плата может с этим не справиться. И 4400 могут быть проблемой для всех процессоров кроме двух последних линеек райзенов и то уже с делителем на инфинити фабрик, i9 девятого поколения от intel. а так же процессоров десятого поколения intel. В общем — для этого на плакнах есть профиль на 4266 МГц, который запуститься и на процессорах и материнских платах попроще.

Так же и не любые платы смогут обеспечить стабильную передачу сигнала и автоматический подбор субтаймингов на высокие частоты. У меня в тесте ASUS maximus gene 11. Но покупая частотные планки стоит на сайтах производителей ещё убедиться, что производитель памяти считает вашу плату поддерживаемой для этой памяти.

В общем — на всякий случай я предупредил вас, что частотный XMP профиль — это не гарантия того что он у вас заработает. Но частотный XMP профиль — это гарантия того, что если другие компоненты системы потянут, то память на этой частоте запуститься.

Во второй части видео мы посмотрим на прирост от разгона памяти в сравнении с простым комплектом на 3 ГГц.

За счёт чего происходит разгон памяти?

Но для начала всё же разберемся как вообще разгонять память, естественно, кроме как используя XMP профиль.

Это видео не будет гайдом по разгону. Не думаю, что у меня на это есть достаточно опыта, чтобы делать гайды. Да и в общем-то никаких тайн и секретов нет. Более подробнее практический опыт описан в теме на форуме оверклокерс.ру.

Но всё же общую суть и физику самого процесса я расскажу.

У нас есть глобально три устройства, которые отвечают за реализацию разгона.

Первый — это сама оперативная память.

Второй — контроллер памяти, который в современных процессорах встроен в сам центральный процессор.

Кроме того между этими устройствами есть связи, проходящие через материнскую плату.

И у памяти есть два глобальных параметра.

Первый — это частота, с которой память может работа.

Второй — это скорость исполнения команд самой памяти.

Частоту могут ограничивать все три компонента системы, то есть и сама память и контроллер процессора и не идеальность материнской платы.

А вот скорость обработки команд может ограничивать уже только сама память.

Коротко расскажу, как это всё работает, чтобы вы понимали суть того что мы будем делать при разгоне.

Что такое тайминги памяти, зачем они нужны и какие есть ограничения для их снижения?

Представьте, что вы — это оперативная память. Сами данные хранятся в огромных стеллажах. В этих стеллажах есть полки. На каждой полке много разных книг, в книгах есть страницы, и на этих страницах есть строки. Ваша работа — это получить от начальника информацию о том, что за часть данных нужна, далее определить в каком стеллаже, на какой полке, в какой книге и на какой строке эти данные находятся. Затем подойти к нужному стеллажу и открыть его, там открыть нужную полку, вытащить из этой полки нужную книгу, открыть книгу на нужной странице, найти нужную строку, прочитать её, вернуться к начальнику и сказать ему, что там было записано. Ну либо наоборот — начальник требует записать какую-то информацию, вы должны её записать в свободное место и занести в журнал расположение этой информации, чтобы потом, когда эти данные надо будет прочитать вы могли по этому журналу понять в каком месте эти данные записаны.

В общем — всё просто.

Но сложность в том, что у вас нет собственного мозга для того чтобы делать все действия самостоятельно и слаженно. То есть каждую задачу вы выполняете поэтапно только по требованию начальника. То есть дошли до стеллажа, ждёте команду на открытие этого стеллажа, открыли стеллаж, ждёте команду на открытие полки и т.д. В общем — работник вы так себе.

Но интереснее то, что и начальник не знает успели вы сделать предыдущий этап — или не успели.

То есть вы могли ещё не дойти до нужного стеллажа, а начальник уже скажет вам, что надо открыть определённую полку. Вы, идя к стеллажу, делаете в воздухе движения руками, как будто вы открываете полку на стеллаже, потом уже когда подошли к стеллажу, вам дают команду открыть нужную книгу, вы пытаетесь взять книгу через закрытую полку и т.д. Естественно в таком случае запись или чтение произвести не удаться.

Иными словами — для нормальной работы начальнику нужно заранее знать сколько времени у вас уходит на то, чтобы подойти к стеллажу, открыть полку, и т.д. И при подачи вам команд — засекать время перед подачей новой команды так, чтобы вы и долго не простаивали и так, чтобы вы успевали выполнить прошлую команду, то есть в идеале надо практически мгновенно после выполнения прошлой команды получали следующую.

В общем-то разгон памяти и заключается в том, чтобы организовать работу памяти так, чтобы все простои между подачей команд памяти сделать такими, чтобы минимизировать простои.

У оперативной памяти внутренняя иерархия по сути такая же как и в моём примере.

И памяти надо по очереди активировать на пути к нужным данным все эти уровни по очереди один за другим. И на каждом из уровней активация занимает какое-то время для прохождения физических процессов, в основном это накопление нужного заряда до рабочих значений напряжений. То есть в моем примере вы физически ходили, а в реальности — это накопление необходимого заряда до рабочих значений. Из-за которых между командами нужно отступать временные отрезки.

А время между подачей определённых команд называется таймингами.

Правда тайминги эти указываются не в секундах, а вернее в наносекундах, а указываются они в количестве тактов.

То есть, допустим. на частоте выдачи команд 1 МГц — тайминг “единица” — это 1 миллионная секунды.

тайминг — “двойка” — это две миллионные секунды.

А допустим на частоте 2 МГц тайминг “единица”, — это половина миллионной секунды, а тайминг двойка — это одна миллионная секунды.

То есть на частоте 1 МГц тайминг единица — равен таймингу двойка на частоте 2 МГц.

Собственно — разгон памяти без изменения напряжения на память не позволяет ускорять переходные процессы в памяти.

Поэтому с ростом частоты — приходится пропорционально увеличивать и задержки, то есть тайминги.

И, допустим, если вы подобрали минимальные тайминги на частоту 2 ГГц, то в идеальном мире вы можете взять частоту 4 ГГц просто увеличив тайминги в два раза.

Но увеличив частоту — мы получаем два бонуса — первый бонус заключается в том, что память, на самом деле, работает параллельно с несколькими банками и ранками, то есть может не снимать питание с определённых участков, так что часть команд можно будет пропускать при обращениях к недавно задействованным элементам, и тут уже важнее становиться теоретическая возможность каждый такт передавать целевую информацию. И если частота выросла в два раза — то можно передать целевой информации в два раза больше. В идеальном мире, конечно, на практике — задержки и сложная иерархия памяти такое не позволяет реализовывать в полной мере.

А второй бонус — что у нас снижается дискретизация времени между соседними значениями тайминга.

Допустим если на частоте 1 МГц между таймингом 1 и 2 разница 1 миллионная секунды, то на частоте 2 МГц — разница между таймингом 1 и 2 — половина миллионной секунды.

И если переходной процесс занимал в реальности полторы миллионных секунды, то на частоте 1 МГц нужен будет тайминг — 2, потому что с единицей работать не будет, тогда как на 2 МГц — нужен будет тайминг 3, который и даст необходимые для ожидания полторы миллисекунды.

То есть из-за увеличения разрешающей способности таймингов — можно ближе подобраться к минимальному времени рабочих задержек.

То есть выжить все соки из скорости памяти более качественно.

На практике всё, конечно, не так радужно. Память при приближении к её предельным рабочим частотам перестаёт быть на 100% отзывчивой, и к максимальной частоте — реальные тайминги, выраженные в наносекундах начинают уже увеличиваться, то есть увеличение таймингов к частоте перестаёт быть зависимыми.

И задача разгона — найти ту частоту — в которой эта зависимость ещё сохраняется и уже тонко подстроить все тайминги так, чтобы между командами память не простаивала более, чем нужно для протекания переходных процессов.

Ну, и, конечно, переходные процессы можно ускорить.

Исходя их природы этих процессов — то есть процессов зарядки и разрядки — очевидно, что увеличив напряжение питания — эти процессы начинают протекать быстрее.

То есть увеличивая напряжения — можно добиться того, что память начнёт нормально работать на меньших значениях таймингов при той же частоте.

Алгоритм действий, который я рекомендую для разгона памяти

В общем — подводя итоги по тому что надо сделать для разгона.

Первое — это изначально выбрать напряжение для памяти. Напряжение это зависит от радиаторов памяти и ваших собственных ограничений по тому сколько вы готовы набрасывать.

У меня память с толстыми радиаторами и оребрением, которое позволяет увеличить площадь теплоотвода, плюс довольно холодная 20нм память от Samsung. И для этих планок я выбрал безопасным напряжение 1,52 Вольта. При которых память не будет у меня вне корпуса греться выше 50 градусов. В корпусе, это было бы несколько выше, но в целом — до 60-65 градусов на чипах — память ещё не начинает терять в скорости переходных процессов. Но надо помнить, что с ростом температуры — потери стабильности есть, так что на планках под приличный разгон — радиаторы нужны не только для красоты. Тут радиаторы достаточно эффективные для напряжений выше рекомендуемых.

Но ставить сразу то напряжение, которые вы хотите получить я не рекомендую. Так например я в процессе разгона ставил 1,5 Вольта, чтобы потом чуть-чуть набросить напряжение для стабильности.

Если у вас горячие чипы или тонкие радиаторы — то ваш предел по напряжению будет на DDR4 между 1,35 и 1,4 Вольта.

Далее задача — на любой частоте подобрать основные тайминги, оставив субтайминги на значении авто (на высоких частотах памяти материснкие платы могут ставить «авто» не верные значения, так что этот метод для типичных частот для вашей платформы). Понятное дело, что чем ближе будет частота к будущей целевой, тем быстрее будет пройден весь разгон.. Подбор основных таймингов довольно простое занятие. Снижаете их по одному пока снижение каждого из них не приведёт к тому что в программе test Mem не начнут возникать ошибки. И постепенно увеличиваете частоту, меняя тайминги пропорционально частоте. Это можно пропорциями считать и вручную, можно и в икселе например. Опять же — в теме на ру оверах есть в шапке темы ссылки на экселевские файлы, где есть пересчитывалка таймингов при смене частоты. И так увеличиваете частоту пока линейное приращение таймингов к росту частоты продолжает работать. Как только линейное приращение работать перестаёт — значит вы достигли той частоты, на которой лучше всего будет показывать себя память и именно на ней следует уже вручную крутить остальные тайминги и субтайминги.

Касаемо intel. На процессорах 6 и 7 поколения надо уже с частоты памяти 3700-3800 МГц задавать два дополнительных напряжения в ручную. Это напряжение — на контроллер памяти, оно же Vccio, то есть ту штуку, которая отвечает за передачу команд памяти и отправку и принятие данных, а так же напряжение на системный агент (SA), это внеядерная часть процессора, в которую входит в том числе и контроллер памяти.

На частотах ниже 4 ГГц обычно эти напряжения не будут превышать 1,2 Вольта, и как правило это чуть выше стоковых 1,05 Вольта бывает, и надо их задавать вручную чтобы материнские платы не задирали эти напряжения к полутора вольтам. В общем-то активируя и высокочастотные XMP профили тоже стоит смотреть на то, что материнские платы набрасывают на агент и контроллер памяти.

С райзенами — тут я, к сожалению, опыта большого не имею, так как последний процессор у меня был 2400 G, где памятью удалось очень сильно поднять производительность встройки.

Но было это давно. Реалии настройки плат под современные райзены, смотрите в тематических темах или других видео в ютубе.

Вдобавок надо помнить и то, что на райзенах с частоты 3800 МГц включается делитель на инфинити фабрик и в целом — подбирать надо будет субтайминги именно на частоте 3800 МГц или как обещают для 5 тысячных разйенов — 4 ГГц.

На intel же проблемы с контроллером память начинаются, в зависимости от поколений и удачности конкретного экземпляра процессора на частотах от 4 до 4,5 ГГц. У меня процессор не самый удачный в части контроллера и мне, например, для 4,4 ГГц нужно напряжение уже почти 1,3 Вольта на контроллер, что многовато. Строго не рекомендуется установка напряжений на эти два компонента выше 1,35 Вольта.

Но в любом случае — предельно низкое напряжение контроллера и агента ставить надо уже после разгона, то есть в процессе разгона — выставлять надо избыточные значения этих напряжений чтобы точно ограничивать разгон не контроллером процессора, а самой памятью.

И, что касается, программы тест мем, она контролер нагружает очень слабо. То есть недостаток по напряжению на контроллер и агент эта программа надёжно оттестировать не может.

Что касается субтаймингов. Тут сложность в том, что это значения друг от друга зависимые. То есть нельзя снижать их по одному по очереди, как основные тайминги. Надо применять сразу целый пакет настроек. То есть менять сразу много.

Для райзенов есть программа райзен DRAM калькулятор, где собраны уже подходящие конфигурации под разные ревизии памяти, от которых и можно будет начинать разгон, для Intel есть экселевские считалки субтаймингов. Либо вы можете просто в самой теме шариться, пока не найдёте скрины человека с памятью, как у вас и с основными таймингами похожими на те, что смогла выжать ваша память. И просто содрать значения субтаймингов с чужого скриншота. Собственно — тема со скринами на ру овере и результатами — для того там и нужна.

В этом деле мне лично вспоминается таблица изотопов химических элементов в которой есть так называемый остров стабильности, для которого предсказано существование новых химических элементов.

Так вот — используя программы или таблицы для расчётов субтаймингов ваша задача попасть в этот остров стабильности для вашей памяти.

И как только вы в этот остров стабильности попали начинать снижать субтайминги вручную контролируя нормальную работу памяти не только по тест мему, но и используя тест скорости памяти в AIDA64 и я ещё использую тест производительности в Win-rar, он очень чувствителен к задержкам памяти. В теории — чем ниже субтайминги — тем лучше. Но в целом — иногда возникают какие-то конфликтные сочетания субтаймингов, так как они друг от друга зависимые и скорость работы памяти падает без потери стабильности.

Вообще менять вручную все субтайминги и не надо.

Для начала — половина субтаймингов — это ожидания для переключения между планками памяти и между ранками памяти. Это субтайминги с буквами DD и DR в названии.

Нажмите для увеличения

Допустим, если у вас по одной планке на канал и сами планки одноранковые, то в эти субтайминги можно ставить что угодно. Можете хоть ноль, хоть своё любимое число. На работу компьютера это влиять никак не будет. Естественно можно оставить и на авто.

И процесс разгона памяти — очень приятен на хороших платах, которые не тупят когда виснут, а при поиске предела — синьки, и стопорение на инициализации компьютера при перезагрузках будут частыми гостями.

Поэтому после каждого изменения надо делать тесты стабильности, и постоянно сохранять текущий стабильный профиль разгона памяти.

Если нет планов получить, так скажем, последние пол процента производительности, то из субтаймингов на intel надо менять только эти: tRRDL tRRDS tRFC tREFI tWR tRTP tFAW. При этом не все являются зависимыми, так что, например, tRFC и tREFI (единственный в котором «больше-лучше») можно менять так же произвольно как и основные тайминги просто до сохранения стабильности.

Кроме того, если будите использовать тот же конфигурационный файл для тест мема, что и у меня, то в первой партии настроек сразу урезайте tFAW. Его по дефолту материнские платы на высоких частотах ставят за 50, а рабочие значения всегда ниже 20. И уменьшение этого значения сильно уменьшает время прогона тест мема. Он проходится быстрее процентов на 30, что в масштабах всего разгона памяти может выйти в экономия часа времени, а то и больше.

Возвращаясь к длительности разгона: в процессе его осуществления вы нащупаете такие значения, что вот почти есть стабильность, всё работает, но вот чуть-чуть бы ещё стабильности и ошибок не будет, а в остальном и так всё работает и в играх и в программах. Именно для этого я ранее писал, что надо ставить напряжение, чуть ниже, чем финальное. 10-20 милливольт в последствии и дадут вам эту недостающую стабильность и вам не придётся скидывать на единицу в том числе и основные тайминги.

Ну и приятная часть разгона заключается в том, что тепловыделение системы практически не меняется, а производительность начинает расти.

Результаты

На этом мы переходим к практической части разгона и посмотрим на полученные результаты.

К сожалению — полученные в прошлой части 5,2 Адаптив модом с офсетом с разгоном памяти стали нестабильными на том же напряжении, всё же — более плотная нагрузка на процессор из-за меньших простоёв с быстрой памятью сказывается на сложности работы процессора. Конечно 5,2 Всё ещё можно получить, но на более высоких напряжениях и для той же производительности с большим теплопакетом, что нарушает логику разгона на постоянку.

Читайте также:  Выбираем аналог BlueStacks

Так что всё переигрываем на 5,1 ГГц. Естественно с тем же теплопакетом в 145 Ватт.

То есть от стока система так и будет отличаться на 50 Ватт, как и в прошлой части.

Получается систем будет 4.

Первая — сток процессор, память XMP профиль на 3000 МГц.

Вторая система — процессор разгон — память такая же на 3000 МГц.

Третья система — процессор разогнан память XMP профиль на 4400 МГц на новом комплекте памяти

И четвёртая система — процессор разогнан, память в максимальном разгоне, что вышел для этих планок, и вышел он на частоте 4266 МГц.

Что касается тестов в играх — тут есть некоторые сложности. Я тестирую игры с максимальными настройками, но без сглаживания и в сниженном разрешении, если это требуется для тестов процессора, чтобы избавиться от упора в видеокарту RTX 2070. И из теста выбывает игра The Division 2, так как с разгоном памяти система слишком производительная и без снижения настроек графики ибавиться от упора в видеокарту не получается даже на разрешении 1024х768 с половинным масштабом разрешения. Так же есть подозрения что в игре Shadow of the Tomb Raider в некоторые моменты так же с разгоном памяти система ограничивалась видеокартой.

Перед играми ещё раз посмотрим на бенчмарки.

Для начала тесты в AIDA64.

Память 3000 МГц в стоке процессора.

Скорость и чтение около 45000 МБ/с, задержки 48 наносекунд.

С разгоном процессора, напомню, ещё разгонял я и кольцевую шину и кеш, что так же ускоряет и реальную скорость работы памяти.

Прибавилось примерно по 1000 МБ/с и немного уменьшились задержки памяти.

XMP профиль на 4400 МГц на разогнанном процессоре дают уже под 60000 МБ/с и задержки снизились до 43 нс.

Ну и последний профиль — с ручным разгоном на частоте 4266 МГц с подбором некоторых субтаймингов.

Добавилось ещё около 3-х тысяч МБ/с, задержка упала ниже 40 нс.

Его бенчмарк очень любит низкие задержки памяти.

Разгон процессора дал прирост около 5%.

Смена памяти с 3 до 4,4 ГГц дала ещё 1,5% пророста.

Ручной подбор субтаймингов и таймингов на частоте 4266 МГц памяти позволил увеличить производительность в сравнении со стоком на без малого 20%.

Возникает закономерный вопрос — почему же такой слабый прирост от смены памяти и такой большой от подбора субтаймингов, да ещё и на более низкой частоте памяти.

Причин тут несколько.

Во первых — естественно ручной разгон памяти позволяет более качественно получить потенциал памяти.

А причина низкого прироста от смены памяти заключается в том, что мне пришлось сильно повысить энергопотребление процессора из-за высоких напряжений на агент и контроллер памяти. А, напомню, что разгоняли мы процессор существенно ограничивая его TDP, в общем-то в этом и был смысл видео про разгон на постоянку. То есть часть ограниченного TDP отъел контроллер памяти, ну и, конечно, с более быстрой памятью процессор на той же частоте начинает потреблять больше энергии в силу уменьшения простоев процессора в ожидании данных — собственно, что и является причиной роста производительности.

При этом мой процессор может с памятью на 4266 МГц работать по напряжению на контроллер почти как у стока, а на 4400 на уже высоких напряжениях. В общем — причина тут не в памяти как таковой, а в ограниченном условиями тестов TDP, и то что этот TDP отбирает контроллер в процессоре.

Более показателен был, например, 3D Mark TS. И, кстати, в этом этот бенчмарк ещё и показывает, что хоть он и имитирует игровую нагрузку, но всё же — он далёк от реальных задач.

В CPU тесте от смены памяти на более производительную с XMP профилем на 4400 МГц производительность вообще упала.

В традиционном разгоне с фиксацией частот, такого эффекта, конечно не будет. Но у нас сейчас именно такие условия.

С ручным разгоном памяти в сравнении со стоком я получил прирост в 13%.

Результаты в играх

Я уже ранее писал, что есть неуверенность относительно Shadow of the Tomb Raider. Но даже с возможными временными ограничениями в видеокарту просто разгон процессора дал прирост в примерно в 6%, а разгон и ядер и памяти дал прирост в 18%.

Количество отрисованных кадров в бенчмарке

Ну и тут уже при росте TDP процессора на 40% — прирост производительности на 18% — это уже приличный результат.

Другие игры рассмотрим уже более детально.

World War Z. Просто разгон ядер дал прирост около 6%. Разгон со сменой памяти на быструю увеличил прирост до почти 9%.

А ручной разгон памяти приводит уже к росту от стока чуть более чем на 19,5%.

Тут стоит пристально обратить внимание на график времени кадра.

Нажмите для увеличения

Видно, что несмотря на то, что синхронизация отключена — вывод кадров происходит с дискретным времением, что также могло сказаться на результатах, то есть простая смена памяти не позволила достаточно часто перескакивать на более низкий уровень времени кадра, а ручной разгон — позволял.

Нажмите для увеличения

С этим связано столь нелинейное изменение производительности от дополнительного разгона памяти.

Если посмотреть на графики распределения времени кадра, то на них тоже видно неестественные для этого графика ступеньки.

Нажмите для увеличения

Напомню что этот график рассказывает о том как часто какие по длительности кадры встречаются в тесте.

Ну и так же — многие любят значения меньших 1 или 5% (они же 99%, 95%).

Нажмите для увеличения

В этом графике вы можете получить любые значения для любых этих процентилей, а 50% — это медианное значение.

Нажмите для увеличения

Но тут, в связи с особенностями игры, эти графики несколько не способны отражать реальность.

И последняя игра в тесте — Far Cry 5.

Просто разгон процессора позволил получить примерно +3,5% прироста, смена памяти увеличила этот прирост до чуть более чем 8%, а ручной разгон памяти позволил увеличить эту цифру до почти 16,5%.

Нажмите для увеличения

График распределения тут показывает, что в целом, на большей части значений мгновенных FPS смена памяти на ту что с профилем на 4400 МГц позволила добиться прироста сопоставимого с разгоном ядер, и только в области высоких FPS — разгон памяти оказывает большее влияние, чем разгон ядер.

Нажмите для увеличения

Ручной разгон памяти — позволил добиться существенного роста производительности в сравнении с остальными тестами.

Нажмите для увеличения

Итоги

Во первых — естественно при разгоне гнать надо всё.

Но разгон памяти при этом — более безвреден в части энергоэффективности системы.

В прошлой части — увеличив энергопотребление системы я получил прирост от 2-х до 12% в зависимости от задачи.

Сейчас же, разгоняя и память и ядра получил при том же росте потребления на 50% прирост производительности от 10 до 20% в зависимости от задачи.

Ну и в целом, учитывая, что 50% прироста тепловыделения — это не плюс 200-300 Ватт ко всей системе, а плюс 50 Ватт — прирост в 10-20% выглядит вполне эффективным и в части энергоэффективности, безусловно, разгон памяти существенно более предпочтителен, чем разгон ядер, а в части абсолютного прироста — разгон ядер и памяти на i9 9900k вышли примерно равнозначными и в одних задачах больший эффект дал разгон ядер, а в других, в частности в играх — разгон памяти. Если говорить только про игры, то конечно, в реалиях когда процессоры уже с завода выходят практически без возможности разгона, да ещё и с большим числом ядер всего на два канала памяти — разгон памяти играет большую роль, чем разгон ядер.

В целом — если говорить про стоковые планки DDR4, то полученные планки в разгоне примерно достигли скорости работы 4-х канальной памяти всего на двух каналах. 16 ядерные райзены частично спасает большой кеш, если говорить про два канала памяти, но всё равно и на 16 ядер на райзене и на 8 или 10 в intel — два канала памяти — это очень мало. Отсюда и прирост на 20% в некоторых задачах.

Ну и в данном тесте были планки с чипами от самсунг B-Die. Это лучшие чипы на DDR4 памяти. И тут я предлагаю поднять вопрос — а на сколько один B-Die может отличаться от другого. Например у меня в материнской плате есть пресеты настроек под B-Die, есть настройки в райзен DRAM калькуляторе под B-Die. Но никогда лично мне ничего из этого готового не подходило. Сейчас же у меня есть 3 комплекта би дай памяти одноранковой 2 модуля по 8 гигов.

И скажу, что этот комплект от патриот намного лучше моего первого комплекта.

А есть у меня ещё и третий комплект, который я недавно купил.

XMP профиль третьего комплекта B-Die памяти

В общем — имеется возможность узнать — насколько высок разброс B-Die, который я покажу в одной из будущих статей.

Блок памяти может подключаться с использованием протоколов PCIe 5.0 и иметь ёмкость до одного терабайта и больше, а также сможет одновременно быть базовой памятью процессора, видеокарты и ускорителей

Samsung представила оперативную память, которой ещё не было: DDR5 с шиной CXL Samsung, Оперативная память, Технологии, Компьютер

По словам Samsung, новые модули прошли испытания в системах под управлением процессоров Intel. Компания AMD также высоко оценила возможности модулей оперативной памяти с подключением по шине CXL. К консорциуму CXL компания AMD присоединилась в 2019 году и начала принимать активное участие в его деятельности. Хотя инициатором стандарта CXL выступила компания Intel, в AMD по достоинству оценили способность нового интерфейса поднять производительность и расширить масштабирование подсистемы памяти и вычислительной системы в целом.

Не так давно стало известно, что компания Micron также решила делать ставку на интерфейс CXL в дальнейшем выпуске продуктов на основе оперативной памяти. Для производителей чипов DRAM это будет продукт с очень и очень высокой добавленной стоимостью. Очевидно, что на модули памяти с интерфейсом CXL будет уходить громадное количество микросхем DRAM и стоить они будут немало, когда это станет востребованным. Производители памяти нащупали для себя новый рынок сбыта. Надеемся, это не приведёт к значительному скачку на рынке обычной компьютерной памяти.

Samsung представила оперативную память, которой ещё не было: DDR5 с шиной CXL Samsung, Оперативная память, Технологии, Компьютер

Добавим, Samsung не уточнила рабочие характеристики новинки, но утверждает, что латентность обращения к банку памяти в виде модуля с шиной CXL значительно снижается по сравнению с традиционными модулями ОЗУ.
https://3dnews.ru/1039284/samsung-predstavila-operativnuyu-p.

Какой прирост производительности от разгона?

В связи с ростом доли процессоров AMD Ryzen на рынке компьютерного железа потребность в разгоне памяти резко увеличилась. Процессоры Ryzen очень чувствительны к частоте ОЗУ из-за новой шины Infinity Fabric, которая связывает две четырехядерные части кристалла между собой. Старая шина Hyper Transfer не была столь требовательна к памяти. Тоже самое касается и других старых процессоров. Их пропускная способность и возможности взаимодействия с памятью зачастую ограничивались производителем. Поэтому учитывайте, что максимальный прирост от разгона будет зависеть от нескольких факторов: тип ОЗУ, архитектура процессора, возможности материнской платы.

Выжимаем соки из ПК: разгон памяти

Если постараться привести какие-то конкретные цифры, то мы получим, что максимальный прирост производительности будет ощущаться на платформах со свежими моделями Ryzen на борту. От 20% и выше. Что же касается Intel, то для них частота оперативной памяти не так важна, но 10% разницу вы, скорее всего, заметите. На старых материнских платах с типами памяти DDR2, DDR3 прирост будет еще меньше, но это не повод от него отказываться. Конечно, увеличение производительности зависит от степени самого разгона, но если говорить совсем обобщенно и усредненно, то вы, вероятно, увидите вышеописанные цифры.

Как разогнать оперативную память?

Еще несколько лет назад высокочастотная оперативная память давала слабый прирост производительности в рабочих приложениях и, тем более, компьютерных играх. Но с выходом процессоров AMD Ryzen, а также шести и восьмиядерных Intel Core, ситуация кардинально изменилась. Теперь высокая пропускная способность и низкая задержка памяти являются одними из важнейших характеристик ПК. Добиться этого можно двумя противоположными способами: попытаться вручную разогнать дешевую низкочастотную оперативку (это всегда лотерея) или же сразу приобрести отборную высокочастотную и разогнать ее еще сильнее.

Насколько важна высокая частота памяти?

Для дешевых процессоров Celeron и Pentium относительно дорогая высокочастотная память не только неуместна по цене, но и бесполезна по производительности. Встроенный в процы Intel контроллер памяти сравнительно непривередлив и обеспечивает низкую латентность (задержки). Как результат, для двухъядерных Celeron и Pentium предостаточно даже низкочастотной оперативки (ОЗУ) — если не 2133, то 2400 МГц уж точно.

Другое дело — старшие процессоры Intel (в меньшей степени Core i3, i5, в большей — i7, i9) и все AMD Ryzen. Чем больше ядер, тем большая пропускная способность памяти (ПСП) требуется. Контроллер памяти процов AMD менее совершенен, чем у Intel, поэтому сильнее зависим от высокой частоты. Самыми же чувствительными к частоте ОЗУ являются APU AMD: модели Ryzen 3 2200G, Ryzen 5 2400G и Athlon 200GE. В их случае шина памяти делится не только между процессорными ядрами, но и мощной интегрированной графикой Vega.

Установка парного количества модулей ОЗУ (два или четыре) активирует двухканальный режим работы, что дает больший прирост ПСП, чем высокая частота в одноканале. Поэтому если бюджет ограничен, то разумнее приобрести две низкочастотные планки памяти половинного объема, нежели одну высокочастотную. К тому же, готовые наборы памяти из двух или четырех модулей сделаны из одинаковых чипов памяти (производитель, техпроцесс, коэффициент утечек тока), благодаря чему как правило лучше разгоняются, чем планки, купленные по отдельности в разное время.

Telemart.ua 2160 грн. В магазин
Stylus.ua 2342 грн. В магазин
Цифра 2320 грн. В магазин
Compx.com.ua 2400 грн. В магазин
Notebooker.ua 2550 грн. В магазин

Cравнить цены 45

IRDM X — старшая серия «геймерской» оперативной памяти польского бренда Goodram (компания Wilk Elektronik), включающая как отдельные модули объемом 4, 8 и 16 ГБ, так и наборы из двух планок с частотой от 2666 до 3200 МГц. Планки с базовыми частотами 2133 и 2400 МГц вынесены в младшую серию IRDM без суффикса «Х», но с тем же дизайном.

«Геймерской» нынче называют память, которую раньше называли «оверклокерской» — с высоким частотным потенциалом (и как результат, высокой производительностью, в том числе в играх) и металлическими радиаторами, выполняющими как охладительную, сколько декоративную функцию. Просто эпитет «геймерская» сейчас более узнаваемый, нежели «оверклокерская».

Радиаторы IRDM X предусмотрительно сделаны толстостенными (это вам не алюминиевая фольга, как у самых дешевых планок ОЗУ), но низкопрофильными, дабы не мешать установке массивных башенных процессорных кулеров. На выбор доступно пять вариантов окраса: черный, красный, синий, белый и «рябой» (сочетание белого, серого и красного а-ля зимний камуфляж). Именно последний вариант выглядит наиболее оригинальным. Светодиодной подсветки, о чудо, нет и это прямо-таки находка на фоне повсеместного засилья RGB.

Пожурить IRDM X можно разве что за одинаковые стандартные тайминги для всех частот. Если задержки 16-18-18-18-36 для частоты 3200 МГц являются отличным показателем, то для 2666 МГц явно многовато. Впрочем, этот мелкий недочет легко решить, снизив тайминги вручную. В остальном же, Goodram IRDM X — добротная, гарантированно высокочастотная оперативка с элегантными дизайном, за которую просят не намного больше денег, чем за простейшую безрадиаторную память.

Конфигурация тестового стенда

  • процессор AMD Ryzen 3 Raven Ridge 2200G BOX Цена от 3 485 до 5 780 грн. ;
  • кулер Enermax ETS-T40F-RF ;
  • видеокарта — встроенная Vega 8;
  • материнская плата Biostar B450MH Ver. 6.x Цена от 1 359 до 2 732 грн. ;
  • оперативная память GOODRAM IRDM X DDR4 1x8Gb IR-XR3000D464L16S/8G Цена от 1 049 до 1 815 грн. ;
  • твердотельный накопитель GOODRAM PX400 SSDPR-PX400-256 256 ГБ ;
  • жесткий диск Seagate BarraCuda Compute ST2000DM008 2 ТБ 256/7200 Цена от 1 491 до 2 299 грн. ;
  • блок питания Seasonic FOCUS PX FOCUS PX-650 ;
  • корпус NZXT H500i красный .

Инструкция по разгону

В отличие от разгона процессора, где нужно всего лишь найти баланс между частотой и напряжением питания, процесс оверклокинга памяти немного сложнее, ведь предстоит найти точку эквилибриума уже между тремя параметрами: частотой, напряжением и таймингами. Этих самых таймингов, к слову, целых пять штук, и это не считая еще больше десятка субтаймингов, которые, впрочем, обычно не трогают, оставляя стандартными.

Рассказывать и показывать процесс разгона будем на примере набора из двух 8-гиговых модулей памяти Goodram IRDM X с заявленной частотой 3000 МГц, процессора AMD Ryzen 2200G и материнской платы Biostar B450MH. Проц и материнка заранее проверены на поддержку разгона ОЗУ как минимум до 3466 МГц.

И так, чтобы приступить к разгону оперативки нужно перезагрузить ПК и нажать клавишу Delete, после чего вы попадете в меню BIOS. Оверклокерская функциональность доступна на материнках на чипсетах AMD B350, B450 и выше, а также Intel Z270, Z370 и Z390. На младших чипсетах разгонять ни память, ни процессор, ни интегрированную графику, к сожалению, нельзя.

Способов разгона ОЗУ существует три: автоматический разгон путем активации вшитого в память профиля настроек XMP; ручное повышение частоты, пусть и с вынужденным повышением задержек; и ручное снижение таймингов при неизменной частоте. Самым простым, само собой, является первый способ — авторазгон. Именно поэтому имеет смысл купить заведомо высокочастотную память, как Goodram IRDM X 3000 МГц, и сэкономить время на ручной подбор параметров. Впрочем, и здесь могут быть нюансы.

Дело в том, что некоторые материнские платы, как например наша Biostar B450MH, не умеет выставлять промежуточные частоты памяти. Так, она поддерживает 2400, 2666, 2933 и 3200 МГц, но не поддерживает 2800 и 3000 (а у нашей памяти как раз такая). По этой причине воспользоваться XMP-профилем Goodram IRDM X не удалось. Но как говорится, все что случается — к лучшему: путем ручной настройки частоту памяти удалось повысить до 3200 МГц.

Для этого напряжение питания было увеличено с базовых 1.2 до 1.35 В (напряжение до 1.4 В для разгона памяти DDR4 считается безопасным), а тайминги установлены на значение 16-18-18-18-36. Проще говоря, мы сэкономили долларов десять, превратив память 3000 в 3200 МГц. Теоретически, более высокочастотная с завода память могла бы разогнаться еще сильнее, скажем, до 3466 МГц. Но учитывая, что Goodram IRDM X, по крайней мере тот ее экземпляр, что попал к нам на тестирование, основана на чипах Nanya A-die, разгон свыше 3200 МГц видится маловероятным. Частоты повыше обычно берут только чипы более современных поколений — Samsung B-die, Micron H-die или Hynix M-die.

Измерить прирост пропускной способности памяти до и после разгона можно с помощью приложения AIDA64 (доступна бесплатная пробная версия), выбрав пункт меню «Сервис – Тест кэша и памяти». Так, разгон с базовых 2666 МГц до 3200 МГц повысил скорость чтения, записи и копирования ОЗУ с примерно 35 до 45 ГБ/с, то есть на 28 процентов. Латентность же снизилась с 84 до 74 наносекунд, то есть на 13 процентов. В той же самой AIDA64 («Сервис – Тест стабильности системы») можно и нужно хорошенько прогреть ПК после разгона, чтобы убедится в его беспроблемности. Если тест выдает ошибку, либо компьютер зависает или перезагружается, попробуйте слегка (на 0.05 В) повысить напряжение или поднять тайминги.

А вот разгон путем снижения таймингов (с 16-18-18-18-36 до 14-14-14-14-34) при неизменной частоте 2666 МГц особого эффекта не дал: скорость памяти выросла лишь на 2 процента, а латентность снизилась на 6 процентов. Но данный метод все равно имеет место быть, ведь далеко не все материнские платы хорошо разгоняют память, некоторые особенно неудачные модели не берут частоту выше 2800 МГц.

Читайте также:  Ubar policy provIDer что это

Выводы

Как вы смогли убедиться, разгон оперативной памяти — не самый простой процесс (если конечно память не с изначально высокой XMP-частотой), но прирост производительности от него явно стоит потраченного времени. Бояться не стоит, ничего точно не сломается, ведь современные компьютерные компоненты хорошо защищены от «кривизны» рук пользователя и в случае чрезмерного вмешательства уходят в кратковременную защиту, после чего сбрасывают настройки на стандартные. Если у вас процессор AMD Ryzen или Intel Core и материнка с подходящим для оверклокинга чипсетом. то обязательно попробуйте. Ну а владельцам APU AMD с мощной встроенной графикой разгон памяти, как говорится, сам доктор прописал.

Ответы@Mail.Ru: Плюсы и минусы разгона процессора!

Если есть знания голова на плечах и годное для разгона железо (хорошая система питания на каждой железке, приличное охлаждение, разгонный потенциал чипов) минусов-нет. ну а если тупо лезть в BIOS и бездумно менять настройки- последствия могут быть непредсказуемыми.

Кривые руки — не умея можно все испортить . Сначала тщательно изучить сам процесс что и как делается потом лучше эксперементировать, Если комп на гарантии то проподает гарантия, может сгореть процессор, Плюсов много, улучшение произодительности . все про разгоны процессоров и видеокарт

плюсы, это хорошо, что все хорошо получилось (но производительность не всегда заметна) , минусы, в том что все хорошее быстро заканчивается, в этом случае перегрев и износ деталей ускорен в два раза.

+ netu ,-portish ves komp.

При грамотном разгоне минусов нет. Одни плюсы.

Главный плюс один — моральное самоудовлетворение. Вы получаете увеличение производительности незаметное невооруженным глазом взамен на предельные режимы работы железа. Есть смысл?

Можно и нужно! В наше время железо обновляется с такими темпами, что проц который расчитан на 10 лет работы может и укоротит свой срок до 6-8 лет! Но к тому времени всю систему менять прийдется! При разгоне нужно учитывать тип проца, максимальную рабочую темпиратуру, множитель процессора! Разгонять можно с повышением напряжения либо без! Не повышая риск спалить стрмиться к 1-5%! Разгон нужно делать плавно повышая частоту, так же не забывая что если разгонять по шине FSB то и частота ОЗУ увеличится! И нужно учесть то что и тайминги прийдется поменять если начнет выбивать ошибку памяти! И конечно нужно тестировать систему под полной загрузкой ЦП до 100%!

Разгон процессора (overclocking) — его принудительная работа на нестандартных режимах (в первую очередь, на повышенной частоте) . Такой разгон имеет смысл в двух случаях. Во-первых, когда пользователь желает получить максимальную отдачу от компьютера при минимальном вложении в него средств.

В большинстве случаев такой разгон относится к категории легких, когда во главу угла ставится стабильность работы компьютера в течение долгого времени, а не достижение экстремальных рабочих частот CPU.

Кроме того, такой разгон чаще всего сопровождается комплексной оптимизацией системы (выставлением более низких таймингов памяти в BIOS, тонкой настройкой ОС и т. п.) , благодаря которой получают, порой, большую прибавку производительности, нежели от собственно разгона процессора.

Но главная причина столь высокой популярности разгона в массах, все-таки, кроется в другом — в обычном человеческом азарте, в желании, выжав из компьютера все возможное и даже чуть больше, превзойти всех и вся и, тем самым, самоутвердиться (пусть даже только в собственных глазах).

В подавляющем большинстве случаев, когда обеспечивается достаточно эффективный отвод тепла от разогнанного процессора (но это обязательное условие!) , риск его выхода из строя минимален.

Конечно, разгон несколько сокращает срок жизни процессора, однако в любом случае, процессор морально устареет и будет заменен гораздо раньше, чем выработает хотя бы половину ресурса. Также разгон не опасен и для материнской платы. Следует лишь обратить внимание на то, чтобы стабилизатор питания на плате (VRM — Voltage Regulator Module) имел достаточный запас мощности для питания разогнанного процессора (потребление электроэнергии которого, как известно, существенно возрастает) .

Разгон оперативной памяти (ОЗУ DDR3, DDR4) через БИОС

В принципе нет никакой принципиальной разницы, хотите вы разогнать оперативную память типа DDR3 или DDR4. Поиск настроек в биосе и последующее тестирование будет выглядеть примерно одинаково. А разгонный потенциал будет больше зависеть от производителя и качества ОЗУ и еще от материнской платы и процессора.

Также хочу отметить, что на большинстве ноутбуков в биосе не предусмотрена возможность изменять параметры оперативной памяти. А ведь весь этот «разгон» по сути, и основывается на подстройке параметров.

Разгон ОЗУ в биосе Award

Прежде чем начать разгон оперативной памяти в биосе Award, нужно нажать комбинацию клавиш Ctrl + F1, чтобы появились расширенные меню настроек. Без этого «трюка» вы нигде не найдете параметры оперативной памяти, которые нам так сильно нужны.

разгон оперативной памяти (ОЗУ) в биосе

Теперь ищите в меню пункт MB Intelligent Tweaker (M.I.T.). Тут находятся необходимые нам настройки оперативной памяти, а именно System Memory Multiplier. Изменяя частоту этого множителя, вы можете повысить или понизить тактовую частоту вашей оперативной памяти.

разгон оперативной памяти (ОЗУ) в биосе

Обратите также внимание на то, что если вы хотите разогнать оперативную память, которая работает в связке со стареньким процессором, то у вас, скорее всего, будет общий множитель на ОЗУ и процессор. Таким образом, разгоняя оперативную память, вы будете разгонять и процессор. Обойти эту особенность старых платформ, к сожалению, не получится.

Тут же вы можете увеличить подачу напряжения на ОЗУ. Однако это чревато последствиями, поэтому напряжение нужно трогать, только если вы понимаете, что вы делаете и зачем вы это делаете. В противном случае, лучше оставьте все как есть. А если все же решились, то не понимайте напряжение больше чем на 0,15В.

После того, как вы определились с частотой (так вам пока кажется) и напряжением (если решились) выходим в главное меню и ищем пункт меню Advanced Chipset Features. Тут вы сможете подобрать тайминги задержки. Для этого предварительно нужно изменить значение параметра DRAM Timing Selectable из Auto на Manual, то есть на ручную настройку.

разгон оперативной памяти (ОЗУ) в биосе

О том, как правильно рассчитать соотношение таймингов и частот будет написано немного ниже. А тут я просто описываю, где в биосе найти нужные нам настройки.

Разгон ОЗУ в биосе UEFI

Биос UEFI является наиболее молодым биосом из всех, а потому и выглядит почти как операционная система. По этой же причине пользоваться им намного удобнее. Он не лишен графики, как его предки и поддерживает разные языки, в том числе русский.

разгон оперативной памяти (ОЗУ) в биосе

Ныряйте сразу в первую вкладку под аббревиатурным названием M.I.T. и заходите там в «Расширенные настройки частот». Благодаря русскому интерфейсу тут вы точно не запутаетесь. Все аналогично первому варианту – регулируйте множитель памяти.

Потом заходите в «Расширенные настройки памяти». Тут мы управляем напряжением и таймингами. Думаю, все понятно с этим.

разгон оперативной памяти (ОЗУ) в биосе

Дольше останавливаться на биосах не вижу смысла. Если у вас какой-то другой биос, то либо методом научного тыка найдете необходимый пункт, либо читайте мануалы по вашему биосу.

Насколько увеличивается производительность

Изменение тактовой частоты оперативной памяти, возможно, не приведет к значительному повышению производительности, однако обеспечит лучшую работу системы и поддерживаемых программ. Точных цифр дать невозможно, здесь все зависит от конкретной сборки ПК. Однако полученный результат во всех случаях будет ценней базового, поэтому стоит заинтересоваться процессом разгона.

Конечно, обязательным условием будет соблюдение мер предосторожности, а также постоянный анализ стабильности работы разгонной памяти.

Выжимаем доп. производительность за счет памяти

Что даст разгон, и стоит ли это делать

Вопрос интересный. Многое здесь, конечно, зависит от ваших «железок»: архитектуры ЦП (процессора), возможности мат. платы, типа ОЗУ.

Вообще, нагляднее всё иллюстрировать на примерах. Скажем, если у вас современный процессор AMD Ryzen — то повышение частоты памяти может дать весьма неплохую «прибавку» к общей производительности! (на Intel цифры будут скромнее; см. скрин ниже 👇).

Те же +15-25% при работе с каким-нибудь WinRAR, играми, редакторами и пр. — получить достаточно реально.

👉 В помощь!

Утилиты для просмотра характеристик компьютера — см. мою подборку

WinRAR - сравнение до разгона памяти и после

WinRAR — сравнение до разгона памяти и после (скрин 1)

WinRAR - сравнение до разгона памяти и после-2

WinRAR — сравнение до разгона памяти и после (скрин 2)

Кстати, если вы пользуетесь APU (встроенной видеокартой) — то разгон ОЗУ может увеличить весьма неплохо кол-во FPS (речь идет о десятках процентов!).

Vega 11 — что дает разгон памяти

Vega 11 — что дает разгон памяти (тест в FurMark)

Т.е. как видите, повышение частоты ОЗУ весьма положительно сказывается на общем быстродействии (правда, сколько «циферок» добавиться конкретно у вас — без тестирования сказать довольно сложно).

Как бы там ни было, если вы хотите «выжать» из ПК что-нибудь еще — смысл попробовать «поиграться» с памятью точно есть.

Примечание : напоминаю, что разгон вы выполняете на свой страх и риск.

Хотя отмечу, что «игры» с памятью безопаснее, чем разгон ЦП или видеокарты.

В самом плохом случае, при некорректных настройках BIOS (обычно) — ПК просто не включается (в этом случае 👉 достаточно сбросить BIOS и снова можно пытаться разгонять память. ).

Что порекомендую перед разгоном ОЗУ (есть ведь еще способ!)

Не могу не отметить один важный момент , про который обязательно стоит сказать всем, кто собирается «гнать» память.

Дело в том, что на многих ПК/ноутбуках средне-ценового сегмента часто по умолчанию установлена лишь одна плашка памяти (и, разумеется, задействован одноканальный режим работы) .

Слоты под плашки ОЗУ

Установка плашки памяти

Если же установить вторую плашку памяти — то вы не только увеличите объем ОЗУ, но и задействуете* двухканальный режим работы: что очень положительно сказывается как на общем быстродействии, так и на работе встроенной видеокарты (👇).

Результаты теста на скриншоте (на ноутбуке была установлена вторая плашка памяти)

Результаты теста на скриншоте (на ноутбуке была установлена вторая плашка памяти)

Примечание : чтобы посмотреть в каком режиме работает память — запустите утилиту 👉 CPU-Z, и откройте вкладку «Memory» : Single — одноканальный, Dual — двухканальный.

👉 В помощь!

Нужен ли двухканальный режим работы памяти + как его задействовать — см. заметку

CPU-Z (режим работы ОЗУ). Dual — двухканальный

CPU-Z (режим работы ОЗУ). Dual — двухканальный

* Обратите внимание, что старые материнские платы могут не поддерживать двухканальный режим работы памяти. Уточняйте этот момент в спецификации к своей модели платы на официальном сайте производителя (👇).

Спецификация материнской платы

Спецификация материнской платы

Как производится разгон, и тест системы после (пару примеров)

Если у вас достаточно современная мат. плата и ОЗУ, то весь процесс разгона памяти для вас будет сводиться к выбору соответствующего XMP профиля в настройках BIOS / UEFI (в противном случае частоту , вольтаж , и тайминги придется выставлять вручную, что отнимает больше времени (и не всегда просто подобрать оптимальные значения)) .

В заметке я «остановлюсь» на первом варианте, как на наиболее предпочтительном для широкой аудитории (в примере ниже платы ASRock, Gigabyte, MSI).

👉 В помощь!

Как войти в BIOS (UEFI) на компьютере или ноутбуке [ссылка на инструкцию]

Важно!

По поводу ноутбуков : далеко не во всех устройствах есть возможность гнать память (опции изменения частоты работы ОЗУ просто-напросто может не быть в BIOS).

Чаще всего такая опция есть только в производительных игровых ноутбуках.

ASRock

Необходимо в UEFI открыть раздел «OC TWEAKER» , в графе «Load XMP Setting» выбрать XMP 2.0 профиль. (👇)

ASRock UEFI — загружаем XMP профиль

ASRock UEFI — загружаем XMP профиль

После этого вы сразу заметите как частота памяти (frequency) и вольтаж (voltage) были увеличены (в моем случае DDR4-2400 —> DDR4-3200, 1.200V —> 1.350V).

Значения частоты и вольтажа поменялись!

Значения частоты и вольтажа поменялись!

Не забудьте сохранить настройки после произведенных изменений (клавиша F10 / Save And Exit).

Среди списка настроек UEFI нужно найти строку «Extrime Memory Profile (XMP)» и нажать на ней Enter (👇).

MSI — меняем частоты памяти

MSI — меняем частоты памяти

Во всплывшем окне выбрать один из профилей.

Выбор профиля

После также сохранить настройки, нажав на клавишу F10. После перезагрузки компьютера — ОЗУ будет работать на «новой» повышенной частоте.

Gigabyte

Рекомендую сразу же после входа в BIOS (UEFI) переключиться в классическое меню (нажав по ссылке «Classic» в верхней части окна).

Настройка BIOS (UEFI) на примере Gigabyte AB350-Gaming

Настройка BIOS (UEFI) на примере Gigabyte AB350-Gaming

Далее в разделе «M.I.T» в строке «X.M.P» укажите один из профилей (в моем случае первый).

Раздел MIT — загружаем XMP

Раздел M.I.T — загружаем XMP

После, также, как и на др. платах, сохраните настройки (F10).

Тестирование

Для начала откройте диспетчер задач (Ctrl+Shift+Esc) , вкладку «Производительность / Память» : в строке скорость будет представлена текущая частота (после разгона это значение должно вырасти).

Если у вас не Windows 10 — вместо диспетчера задач можете воспользоваться спец. утилитами для просмотра характеристик.

Диспетчер задач - память

Диспетчер задач — память / Windows 10

Вообще, стоит отметить, что после того, как частота ОЗУ по умолчанию была изменена (тем более, если вы вручную указали даже больше, чем стояло в XMP профиле) — компьютер/ноутбук далеко не всегда может вести себя стабильно.

👉 Поэтому, крайне желательно после разгона ОЗУ провести «парочку» проверок (ссылки на них ниже):

  1. Как выполнить стресс-тест процессора и системы в целом (с помощью AIDA 64);
  2. Стресс-тест видеокарты: проверка на надежность и стабильность (с помощью FurMark).

FurMark — стресс-тест в действии (крутится бублик)

FurMark — стресс-тест в действии (крутится бублик)

Разумеется, во время выполнения тестов не должно появляться синих экранов, зависаний, перезагрузок и пр. Если это происходит — значит вероятнее всего ваше оборудование не держит завышенные частоты. Попробуйте их несколько снизить , а потом заново провести тесты.

👉 Кстати, весьма неплохим тестом может стать какая-нибудь 3D игра (особенно, достаточно нагружающая ваше железо). Если часик-другой никаких проблем в игре не возникло, и она ведет себя также, как и раньше — значит разгон прошел успешно!

Какие компоненты можно разогнать?

Теперь, когда вы понимаете, что такое разгон, мы можем начать говорить о различных компонентах, которые можно разогнать, и о нескольких соображениях поверхностного уровня для каждого из них.

Разгон процессора (CPU)

Прежде всего, это процессор. при условии, что ваш производитель позволяет вам делать это.

У AMD здесь довольно хороший «послужной список»: подавляющее большинство их основных процессоров со времен серии Opteron были открыты для разгона, включая последние серии Ryzen и чипы FX.

С другой стороны, Intel сильно ограничивает разгон процессорами «серии K» или «серии X». Например, компьютер с процессором i5 4690 не поддерживает разгон, хотя в остальном он идентичен более дорогому i5 4690K, который его поддерживает.

Для других компонентов преимущества разгона иногда могут показаться незначительными или едва заметными. Но с процессорами, особенно если вы используете высококачественное решение для охлаждения, вы увидите гораздо большее улучшение производительности, иногда даже на полный гигагерц или более.

Однако, процессоры также являются самым сложным компонентом для разгона, что затрудняет достижение этих показателей для новичков.

Разгон видеокарты (GPU)

GPU также можно разогнать. На момент написания этой статьи ни один из основных настольных графических процессоров не был заблокирован от разгона.

Но, что, на самом деле, даёт разгон вашего GPU? Тут есть есть некоторые «проблемы»:

  • Увеличение производительности обычно не так велико
  • Результаты будут крайне противоречивыми

В кругах оверлокеров это часто называют «силиконовой лотереей». По сути, это означает, что некоторые компоненты просто получаются лучше во время производственного процесса (это также может касаться центральных процессоров, но чаще всего упоминается в отношении графических процессоров). Таким образом, они могут лучше справляться с давлением разгона; лучшее качество означает большую разгонную мощность.

К сожалению, невозможно предсказать, какой компонент станет победителем. Вы и ваш друг можете одновременно купить один и тот же графический процессор у одного и того же производителя, но они будут проявлять различную стабильность при разгоне.

При этом графические процессоры являются наиболее популярным компонентом для разгона, несмотря на вышеупомянутые недостатки. Одной из причин этого может быть наличие программного обеспечения, такого как MSI Afterburner, которое облегчает разгон, а также большое количество документации и помощь в разгоне на форумах по всему Интернету.

Разгон оперативной памяти

Разгон RAM – это даже немного весело. С точки зрения сложности, это сопряжено с разгоном процессора, и всё же с точки зрения увеличения производительности. всё не так просто.

Новые стандарты ОЗУ, такие как DDR4, определенно будут показывать более значимые изменения в ваших приложениях, чем DDR3 или (не дай бог) DDR2, разгон которых не оказывал какого-либо значимого влияния на производительность.

Однако, даже в случае оперативной памяти DDR4 более высокие скорости обычно не так заметны в большинстве приложений, хотя в некоторых случаях разгон оперативной памяти действительно важен.

Наиболее заметный из этих сценариев, который приходит на ум, – это APU AMD. Поскольку APU представляют собой комбинацию центрального процессора + графический процессор на одном чипе, они должны совместно использовать ресурсы памяти. Как правило, графический процессор имеет собственную оперативную память, которая намного быстрее, чем «настольная» память DDR3 или DDR4, но с APU он должен работать с более медленной памятью RAM. В этом конкретном случае разгон вашей оперативной памяти очень рекомендуется и даст ощутимое повышение производительности.

Разгон монитора

Последнее, но не менее важное, это мониторы! Да, ваш дисплей может быть разогнан. Иногда.

В этом случае разгон может относиться либо к работе с более высокой частотой обновления, чем исходная, либо с той же частотой при более высоком разрешении.

Для простоты я буду использовать свой старый монитор BenQ 75 Гц в качестве примера. Монитор продавался как работающий на частоте 75 Гц только с разрешением 800×600. Тем не менее, обзоры продуктов показали, что он может работать на родном 1080p с включенным разгоном до 75 Гц, и я делал это без проблем.

С помощью панели управления Nvidia или AMD разогнать ваш монитор невероятно легко. Вы можете попробовать любое разрешение или частоту обновления, которые вам нравятся, и если оно не работает. оно просто вернется к последнему рабочему разрешению и частоте обновления.

В целом, однако, вы действительно сможете увеличить частоту обновления только в таких сценариях, как у меня. Вы не сможете, скажем, перевести монитор 1080p на 4K или монитор 60 Гц на 144 Гц.

Вывод

Если вы решили попробовать свои силы в разгоне ОЗУ, то желательно вместе с этим разгонять и главный процессор. Выжимать все соки из ОЗУ и при этом сдерживать рабочую частоту процессора просто глупо. Ведь если разогнать центральный процессор даже совсем немного, эффект будет гораздо больше, нежели манипуляции с ОЗУ.

Перед тем, как начинать разгон ОЗУ, важно почитать о том, какие частоты может покорить ваш ЦП. И уже после этого надо будет найти баланс между частотой ОЗУ и скоростью работы процессора, так как выставить одновременно наиболее привлекательные параметры и ОЗУ, и ЦП, как правило, не получается.

Слишком сложно? В таком случае вы всегда можете просто увеличить множитель памяти или немного подкрутить тайминги. И таким образом наслаждаться потом невероятным быстродействием компьютера. Это в том случае, если раскрывать весь потенциал системы — это не ваше.

Но если вы энтузиаст этого дела, мы можем лишь пожелать вам удачи в этом сложном, но очень интересном занятии. Важно лишь помнить о правилах безопасности, возможном риске поломки ОЗУ и осторожности во всех подобных манипуляциях.

Ссылка на основную публикацию